2007年11月29日

日立化成、半導体用CMPスラリーの生産能力を5割増強 −5年後を目処に、売上高250億円を目指す−

 日立化成工業株式会社(本社:東京、執行役社長:長瀬寧次、資本金:154 億円)は、約35億円を投じ、半導体デバイス製造工程のCMP(Chemical Mechanical Planarization:化学的機械研磨)において使用される研磨材料で、半導体の素子分離方法の一つであるSTI(Shallow Trench Isolation)用及び銅配線用のCMPスラリーの生産能力を2008年1月より段階的に増やし、2008年6月までに現状から約50%の増強を行います。

 CMPとは、半導体の素子分離工程や回路形成工程で発生した凹凸を研磨、平坦化する技術であり、CMPスラリーはこの用途に使用される研磨液です。STIは、シリコンウェハー上の何百万個もの半導体素子をそれぞれ電気的に絶縁する素子分離方法の一つで、微細配線に適しているため、デザインルール180ナノメートル近辺から主流になってきましたが、形成工程上に段差が生じることからCMPによる平坦化を行う必要があります。この際、CMPによって発生する研磨傷は歩留りを悪化させるため、65、45ナノメートルとデザインルールの微細化が進展する上では、信頼性向上のため研磨傷のさらなる低減が必須とされています。また、銅配線形成プロセスでは、発生した表面の凹凸を研磨する際に高い平坦性と配線腐食などの欠陥を作らない材料が求められています。

 当社は、1998年に酸化セリウム粒子を採用したCMPスラリーを実用化し、研磨速度の速さと研磨傷の少なさを武器にSTI向けを中心に売上を拡大してきました。また2004年には、従来比2倍の平坦性を実現した高性能のSTI用CMPスラリーを実用化し、売上を拡大してきました。さらに2006年には、自己活性型酸化セリウム粒子系CMPスラリーの基本特許を取得しています。当社のセリア系CMPスラリーの使用により、これまでシリカ系スラリーでは達成できなかった微細加工が可能となりました。
 また、銅配線用スラリーでは、微細加工での需要が高まっている低誘電(Low−k)膜対応のバリアメタル用CMPスラリーを開発し、砥粒が微量入った砥粒フリーライクのCMPスラリーにより高速研磨を可能とし、さらにメタルのみを選択的に研磨するオートストップ機能により、さらなる平坦性の向上を可能としています。

 昨今の半導体市場においては、フラッシュメモリーなどの需要が好調であることに加え、電子機器の小型化と高性能化に伴う微細配線への需要増などの影響を受け、CMPスラリーの使用量が増えています。今般当社はこのような市場の状況にタイムリーに対応すべく、山崎事業所(勝田)(茨城県ひたちなか市)に約35億円を投じ、2008年1月より2008年6月までに設備の増強を段階的に行い、STI用CMPスラリー及び銅配線用のCMPスラリーの更なる量産体制を築き、生産能力を現在の約50%増に当たる年間約15,000トンに拡大すると共に、5年後を目処に、売上高250億円を目指します。
posted by キャンドルチャート at 16:05| プレスリリース・化学 | このブログの読者になる | 更新情報をチェックする
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